MOSFET Infineon IRF1010EZSTRLP, VDSS 60 V, ID 84 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 162-3279Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF1010EZSTRLP
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

84 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

140000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

58 nC a 10 V

Ancho

9.65mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

4.83mm

Serie

IRF1010EZS

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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$ 592

Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)

$ 704,48

Each (On a Reel of 800) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon IRF1010EZSTRLP, VDSS 60 V, ID 84 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

800

Disponible en múltiplos de 800
800$ 473.600
1600$ 947.200
2400$ 1.420.800
3200$ 1.894.400
4000$ 2.368.000
4800$ 2.841.600
5600$ 3.315.200
6400$ 3.788.800
7200$ 4.262.400
8000$ 4.736.000
8800$ 5.209.600
9600$ 5.683.200
10400$ 6.156.800
11200$ 6.630.400
12000$ 7.104.000

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4800$ 2.841.600
5600$ 3.315.200
6400$ 3.788.800
7200$ 4.262.400
8000$ 4.736.000
8800$ 5.209.600
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Tipo de montaje

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3

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8,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

140000 mW

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Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

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Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

58 nC a 10 V

Ancho

9.65mm

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1

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