MOSFET Infineon IPZ65R045C7XKSA1, VDSS 700 V, ID 46 A, TO-247-4 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
700 V
Series
CoolMOS™ C7
Tipo de Encapsulado
TO-247-4
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
227 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
21.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
93 nC a 10 V
Altura
5.21mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 18.875,78
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30
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
700 V
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Tipo de Encapsulado
TO-247-4
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
227 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
21.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
93 nC a 10 V
Altura
5.21mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
País de Origen
China
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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
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