Transistor MOSFET Infineon IPW90R340C3FKSA1, VDSS 900 V, ID 15 A, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
340 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
208000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.21mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Altura
21.1mm
Serie
CoolMOS C3
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Germany
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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P.O.A.
30
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
340 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.21mm
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1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Altura
21.1mm
Serie
CoolMOS C3
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3
MOSFET Transistors, Infineon
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