MOSFET Infineon IPT020N10N3ATMA1, VDSS 100 V, ID 300 A, HSOF-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 178-7450Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPT020N10N3ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

300 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

HSOF-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

156 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Profundidad

10.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Largo

10.58mm

Tensión de diodo directa

1V

Altura

2.4mm

Serie

OptiMOS 3

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 8.776

Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)

$ 10.443,44

Each (On a Reel of 2000) (IVA Incluido)

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N

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Profundidad

10.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Largo

10.58mm

Tensión de diodo directa

1V

Altura

2.4mm

Serie

OptiMOS 3

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