MOSFET Infineon IPT012N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 300 A, HSOF de 8 + Tab pines, config. Simple

Código de producto RS: 170-2318Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPT012N08N5ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

300 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

HSOF

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

178 nC a 10 V

Profundidad

10.58mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

2.4mm

Serie

IPT012N08N5

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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P.O.A.

MOSFET Infineon IPT012N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 300 A, HSOF de 8 + Tab pines, config. Simple

2000

Disponible en múltiplos de 2000
2000P.O.A.
4000P.O.A.
6000P.O.A.
8000P.O.A.
10000P.O.A.
12000P.O.A.
14000P.O.A.
16000P.O.A.
18000P.O.A.
20000P.O.A.
22000P.O.A.
24000P.O.A.
26000P.O.A.
28000P.O.A.
30000P.O.A.

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Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.7 mΩ

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Mejora

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3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

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Longitud:

10.1mm

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