MOSFET Infineon IPP80P03P4L04AKSA1, VDSS 30 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Serie
OptiMOS P
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
137000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-16 V, +5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10mm
Profundidad
4.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
125 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
15.65mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 3.255
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 3.873,45
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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| 100 - 200 | $ 2.604 | $ 130.200 |
| 250+ | $ 2.343 | $ 117.150 |
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P
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Serie
OptiMOS P
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
137000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-16 V, +5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
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Profundidad
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1
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-55 °C
Altura
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MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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