MOSFET Infineon IPP80P03P4L04AKSA1, VDSS 30 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 823-5554Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPP80P03P4L-04
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

OptiMOS P

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

137000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +5 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

125 nC a 10 V

Profundidad

4.4mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

15.65mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 3.623

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 4.311,37

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon IPP80P03P4L04AKSA1, VDSS 30 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 18.115
10$ 36.230
15$ 54.345
20$ 72.460
25$ 86.050
30$ 103.260
35$ 120.470
40$ 137.680
45$ 154.890
50$ 154.850
55$ 170.335
60$ 185.820
65$ 201.305
70$ 216.790
75$ 232.275

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5

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5$ 18.115
10$ 36.230
15$ 54.345
20$ 72.460
25$ 86.050
30$ 103.260
35$ 120.470
40$ 137.680
45$ 154.890
50$ 154.850
55$ 170.335
60$ 185.820
65$ 201.305
70$ 216.790
75$ 232.275

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 20$ 3.623$ 18.115
25 - 45$ 3.442$ 17.210
50 - 120$ 3.097$ 15.485
125 - 245$ 2.788$ 13.940
250+$ 2.647$ 13.235

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3

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7 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

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2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

137000 mW

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-16 V, +5 V

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1

Largo

10mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

125 nC a 10 V

Profundidad

4.4mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

15.65mm

País de Origen

Malaysia

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Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
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