MOSFET Infineon IPP65R190CFDXKSA1, VDSS 700 V, ID 17,5 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 110-7490PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPP65R190CFDXKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

17.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

700 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

151 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.36mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

68 nC a 10 V

Profundidad

4.57mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS CFD

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

Altura

15.95mm

Datos del producto

Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

MOSFET Infineon IPP65R190CFDXKSA1, VDSS 700 V, ID 17,5 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 4.

Producción -

Disponible en múltiplos de 4.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

4

Disponible en múltiplos de 4
4P.O.A.
8P.O.A.
12P.O.A.
16P.O.A.
20P.O.A.
24P.O.A.
28P.O.A.
32P.O.A.
36P.O.A.
40P.O.A.
44P.O.A.
48P.O.A.
52P.O.A.
56P.O.A.
60P.O.A.

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24P.O.A.
28P.O.A.
32P.O.A.
36P.O.A.
40P.O.A.
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Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

151 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.36mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

68 nC a 10 V

Profundidad

4.57mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS CFD

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

Altura

15.95mm

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MOSFET Transistors, Infineon

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