MOSFET Infineon IPP65R190C7FKSA1, VDSS 700 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
700 V
Series
CoolMOS™ C7
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
72000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Profundidad
15.95mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
Altura
4.57mm
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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3
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Mejora
Disipación de Potencia Máxima
72000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
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1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Profundidad
15.95mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
Altura
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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
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