MOSFET Infineon IPP60R199CPXKSA1, VDSS 650 V, ID 16 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
-16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Serie
CoolMOS CP
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
490 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.57mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Altura
15.95mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 5.355
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 6.372,45
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50
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| 100 - 200 | $ 5.087 | $ 254.350 |
| 250+ | $ 4.579 | $ 228.950 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
490 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Ancho
4.57mm
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1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
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10.36mm
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-55 °C
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