MOSFET Infineon IPP60R099P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 37,9 A, TO-220 de 3 pines

Código de producto RS: 130-0924Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPP60R099P6XKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

37.9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Serie

CoolMOS P6

Tipo de Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS™ P6

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

99 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

278 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

4.57mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.36mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

70 nC a 10 V

Altura

15.95mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

Datos del producto

MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon

La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOSE6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Each (Sin IVA)

$ 11.040

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N

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TO-220

Serie

CoolMOS™ P6

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

99 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

278 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

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Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.36mm

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Altura

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-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

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