Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
300 V
Series
CoolMOS™
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,041 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
2
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
2
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Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
300 V
Series
CoolMOS™
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,041 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon