MOSFET Infineon IPP220N25NFDAKSA1, VDSS 250 V, ID 61 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 145-8744Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPP220N25NFDAKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

61 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

250 V

Series

OptiMOS FD

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

22 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.36mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

65 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Profundidad

4.57mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

15.95mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™ FD

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 294.550

$ 5.891 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 350.514

$ 7.010,29 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)

MOSFET Infineon IPP220N25NFDAKSA1, VDSS 250 V, ID 61 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 294.550
100$ 589.100
150$ 883.650
200$ 1.178.200
250$ 1.472.750
300$ 1.767.300
350$ 2.061.850
400$ 2.356.400
450$ 2.650.950
500$ 2.945.500
550$ 3.240.050
600$ 3.534.600
650$ 3.829.150
700$ 4.123.700
750$ 4.418.250

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500$ 2.945.500
550$ 3.240.050
600$ 3.534.600
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Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

22 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

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Configuración de transistor

Single

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Material del transistor

Si

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1

Largo

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Profundidad

4.57mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

15.95mm

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China

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