MOSFET Infineon IPI90R500C3XKSA1, VDSS 900 V, ID 11 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 897-7557Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPI90R500C3XKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

900 V

Tipo de Encapsulado

I2PAK (TO-262)

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

500 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de funcionamiento máxima

+150 ºC

Longitud:

10.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

68 nC a 10 V

Ancho

4.5mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS C3

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

9.45mm

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

MOSFET Infineon IPI90R500C3XKSA1, VDSS 900 V, ID 11 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 4.

Producción -

Disponible en múltiplos de 4.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

4

Disponible en múltiplos de 4
4P.O.A.
8P.O.A.
12P.O.A.
16P.O.A.
20P.O.A.
24P.O.A.
28P.O.A.
32P.O.A.
36P.O.A.
40P.O.A.
44P.O.A.
48P.O.A.
52P.O.A.
56P.O.A.
60P.O.A.

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N

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Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

500 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de funcionamiento máxima

+150 ºC

Longitud:

10.2mm

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Ancho

4.5mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS C3

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

9.45mm

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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

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