MOSFET Infineon IPG20N06S4L26ATMA1, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
46 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
33 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Profundidad
5.9mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
0.75mm
Serie
OptiMOS
Datos del producto
MOSFET de potencia doble Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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P.O.A.
20
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Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
46 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
33 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Profundidad
5.9mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
0.75mm
Serie
OptiMOS
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MOSFET de potencia doble Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
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