MOSFET Infineon IPG20N06S2L65AATMA1, VDSS 55 V, ID 20 A, TDSON de 8 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
OptiMOS™
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.065 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Si
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$ 1.975.000
$ 395 Each (On a Reel of 5000) (Sin IVA)
$ 2.350.250
$ 470,05 Each (On a Reel of 5000) (IVA Inc.)
5000
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Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
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