MOSFET Infineon IPD60R800CEAUMA1, VDSS 650 V, ID 8,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
74000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,2 nC a 10 V
Altura
2.41mm
Serie
CoolMOS CE
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de diodo directa
0.9V
Datos del producto
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Conteo de Pines
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
74000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
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1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
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Serie
CoolMOS CE
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de diodo directa
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MOSFET Transistors, Infineon
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