MOSFET Infineon IPD600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-1948Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPD600N25N3GATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

250 V

Serie

IPD600N25N3 G

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

60 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

136000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

7.47mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

22 nC a 10 V

Altura

2.41mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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$ 3.666

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 4.362,54

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

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Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 36.660
20$ 73.320
30$ 109.980
40$ 146.640
50$ 183.300
60$ 219.960
70$ 256.620
80$ 293.280
90$ 329.940
100$ 290.000
110$ 319.000
120$ 348.000
130$ 377.000
140$ 406.000
150$ 435.000

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Producción -

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60$ 219.960
70$ 256.620
80$ 293.280
90$ 329.940
100$ 290.000
110$ 319.000
120$ 348.000
130$ 377.000
140$ 406.000
150$ 435.000

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 90$ 3.666$ 36.660
100 - 240$ 2.900$ 29.000
250 - 490$ 2.757$ 27.570
500 - 990$ 2.558$ 25.580
1000+$ 2.240$ 22.400

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DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

60 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

136000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

7.47mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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