MOSFET Infineon IPD50N08S413ATMA1, VDSS 80 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

Código de producto RS: 229-1833Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPD50N08S413ATMA1
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

50 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Series

OptiMOS™ -T2

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0.0132 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Silicio

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

$ 6.420

$ 428 Each (In a Pack of 15) (Sin IVA)

$ 7.640

$ 509,32 Each (In a Pack of 15) (IVA Inc.)

MOSFET Infineon IPD50N08S413ATMA1, VDSS 80 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines
Seleccionar tipo de embalaje

$ 6.420

$ 428 Each (In a Pack of 15) (Sin IVA)

$ 7.640

$ 509,32 Each (In a Pack of 15) (IVA Inc.)

MOSFET Infineon IPD50N08S413ATMA1, VDSS 80 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

Volver a intentar más tarde

Seleccionar tipo de embalaje

Volver a intentar más tarde

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

50 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Series

OptiMOS™ -T2

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0.0132 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Silicio

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más