MOSFET Infineon IPD320N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 34 A, TO-252 de 3 + 2 Tab pines, config. Simple

Código de producto RS: 171-1957Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPD320N20N3GATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

34 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Tipo de Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3 + 2 Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

32 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

136000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

7.47mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

22 nC a 10 V

Serie

IPD320N20N3 G

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

2.41mm

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P.O.A.

MOSFET Infineon IPD320N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 34 A, TO-252 de 3 + 2 Tab pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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N

Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de montaje

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Conteo de Pines

3 + 2 Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

32 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

7.47mm

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1

Temperatura máxima de funcionamiento

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Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

22 nC a 10 V

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