MOSFET Infineon IPD320N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 34 A, TO-252 de 3 + 2 Tab pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

34 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Tipo de Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3 + 2 Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

32 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

136000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

7.47mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Largo

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

22 nC a 10 V

Altura

2.41mm

Serie

IPD320N20N3 G

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V