MOSFET Infineon IPD25CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, TO-252 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-1917Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPD25CN10NGATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Serie

IPD25CN10N G

Tipo de Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

26 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

71000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

23 nC @ 10 V

Profundidad

7.47mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

2.41mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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$ 1.819

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 2.164,61

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 90$ 1.819$ 18.190
100 - 240$ 1.483$ 14.830
250 - 490$ 1.349$ 13.490
500 - 990$ 1.233$ 12.330
1000+$ 1.052$ 10.520

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26 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

71000 mW

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20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

23 nC @ 10 V

Profundidad

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