Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
IPD25CN10N G
Tipo de Encapsulado
TO-252
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
26 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
71000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Profundidad
7.47mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.41mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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Vuelva a verificar más tarde.
$ 1.819
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 2.164,61
Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
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Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
10 - 90 | $ 1.819 | $ 18.190 |
100 - 240 | $ 1.483 | $ 14.830 |
250 - 490 | $ 1.349 | $ 13.490 |
500 - 990 | $ 1.233 | $ 12.330 |
1000+ | $ 1.052 | $ 10.520 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
IPD25CN10N G
Tipo de Encapsulado
TO-252
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
26 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
71000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Profundidad
7.47mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.41mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V