MOSFET Infineon IPD25CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
IPD25CN10N G
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
26 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
71000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
7.47mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Altura
2.41mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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$ 897
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.067,43
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
26 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
71000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
7.47mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
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