Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Serie
IPD200N15N3 G
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Longitud:
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
9.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
4.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 3.708
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 4.412,52
Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
$ 3.708
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 4.412,52
Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
10 - 90 | $ 3.708 | $ 37.080 |
100 - 240 | $ 2.945 | $ 29.450 |
250 - 490 | $ 2.793 | $ 27.930 |
500 - 990 | $ 2.585 | $ 25.850 |
1000+ | $ 2.155 | $ 21.550 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Serie
IPD200N15N3 G
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Longitud:
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
9.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
4.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C