Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
IPD068N10N3 G
Tipo de Encapsulado
TO-252
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
51 nC a 10 V
Ancho
7.47mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.41mm
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 1.074
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 1.278,06
Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
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Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
IPD068N10N3 G
Tipo de Encapsulado
TO-252
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
51 nC a 10 V
Ancho
7.47mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.41mm