MOSFET Infineon IPD068N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
51 nC a 10 V
Ancho
7.47mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.41mm
Serie
IPD068N10N3 G
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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$ 1.074
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.278,06
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
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N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
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-100 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
51 nC a 10 V
Ancho
7.47mm
Tensión de diodo directa
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