Transistor MOSFET Infineon IPD042P03L3 G, VDSS 30 V, ID 70 A, TO-252 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 823-5579PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPD042P03L3 G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

70 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TO-252

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Largo

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

131 nC a 10 V

Altura

2.41mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Malaysia

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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P

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70 A

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Tipo de Encapsulado

TO-252

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Largo

6.73mm

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