MOSFET Infineon IPD031N06L3GATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 825-9162Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPD031N06L3GATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Serie

OptiMOS 3

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

167000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

59 nC a 4,5 V

Profundidad

6.223mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.413mm

Datos del producto

MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 3.537

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 4.209,03

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon IPD031N06L3GATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 35.370
20$ 70.740
30$ 106.110
40$ 141.480
50$ 176.850
60$ 212.220
70$ 247.590
80$ 282.960
90$ 318.330
100$ 353.700
110$ 389.070
120$ 424.440
130$ 459.810
140$ 495.180
150$ 530.550

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60$ 212.220
70$ 247.590
80$ 282.960
90$ 318.330
100$ 353.700
110$ 389.070
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Tipo de montaje

Surface Mount

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

167000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

59 nC a 4,5 V

Profundidad

6.223mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.413mm

Datos del producto

MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V

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