MOSFET Infineon IPB90R340C3ATMA1, VDSS 900 V, ID 15 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 110-7126PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPB90R340C3ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

900 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

760 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

208000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

94 nC a 10 V

Profundidad

9.45mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS C3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

4.57mm

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

MOSFET Infineon IPB90R340C3ATMA1, VDSS 900 V, ID 15 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 4.

Producción -

Disponible en múltiplos de 4.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

4

Disponible en múltiplos de 4
4P.O.A.
8P.O.A.
12P.O.A.
16P.O.A.
20P.O.A.
24P.O.A.
28P.O.A.
32P.O.A.
36P.O.A.
40P.O.A.
44P.O.A.
48P.O.A.
52P.O.A.
56P.O.A.
60P.O.A.

P.O.A.

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32P.O.A.
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N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

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D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

760 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

208000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

94 nC a 10 V

Profundidad

9.45mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS C3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

4.57mm

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

MOSFET Transistors, Infineon

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