MOSFET Infineon IPB180N10S402ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-263 de 7 + Tab pines, config. Simple

Código de producto RS: 171-1943Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPB180N10S402ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

180 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Serie

IPB180N10S4-02

Tipo de Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

10.25mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

156 nC a 10 V

Altura

4.4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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P.O.A.

MOSFET Infineon IPB180N10S402ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-263 de 7 + Tab pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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5

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