MOSFET Infineon IPB17N25S3100ATMA1, VDSS 250 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 826-9002Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPB17N25S3100ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

17 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

250 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Series

OptiMOS™-T

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

107000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Anchura

9.25mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10mm

Altura

4.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia OptiMOS™ T de Infineon

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 47.560

$ 2.378 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 56.596

$ 2.829,82 Each (In a Pack of 20) (IVA Inc.)

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Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 47.560
40$ 90.400
60$ 135.600
80$ 180.800
100$ 216.400
120$ 259.680
140$ 302.960
160$ 346.240
180$ 389.520
200$ 414.000
220$ 455.400
240$ 496.800
260$ 538.200
280$ 579.600
300$ 621.000

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60$ 135.600
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100$ 216.400
120$ 259.680
140$ 302.960
160$ 346.240
180$ 389.520
200$ 414.000
220$ 455.400
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
20 - 20$ 2.378$ 47.560
40 - 80$ 2.260$ 45.200
100 - 180$ 2.164$ 43.280
200 - 480$ 2.070$ 41.400
500+$ 1.926$ 38.520

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Series

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

107000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Anchura

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Material del transistor

Si

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Altura

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