MOSFET Infineon IPB120N06S4H1ATMA2, VDSS 60 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
OptiMOS™ -T2
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.002 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
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$ 1.781.000
$ 1.781 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 2.119.390
$ 2.119,39 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de Montaje
Through Hole
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3
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