Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
176 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO 263
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
11.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
168 nC a 10 V
Longitud
10.31mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Serie
IPB020N10N5
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
4.57mm
Tensión de diodo directa
1.2V
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$ 9.479
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 11.280,01
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
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Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 20 | $ 9.479 | $ 47.395 |
25 - 95 | $ 8.065 | $ 40.325 |
100 - 245 | $ 6.987 | $ 34.935 |
250 - 495 | $ 6.618 | $ 33.090 |
500+ | $ 5.935 | $ 29.675 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
176 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO 263
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
11.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
168 nC a 10 V
Longitud
10.31mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Serie
IPB020N10N5
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
4.57mm
Tensión de diodo directa
1.2V