MOSFET Infineon IPB013N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 190 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
190 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Material del transistor
SiC
Número de Elementos por Chip
2
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$ 1.560.000
$ 1.950 Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
$ 1.856.400
$ 2.320,50 Each (On a Reel of 800) (IVA Inc.)
800
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