MOSFET Infineon IPAW60R600CEXKSA1, VDSS 600 V, ID 10,3 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Serie
CoolMOS CE
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
28 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Largo
11.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20,5 nC a 10 V
Altura
16.27mm
Tensión de diodo directa
0.9V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Each (In a Tube of 450) (Sin IVA)
$ 1.145,97
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450
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Serie
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
28 W
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Largo
11.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
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Tensión de diodo directa
0.9V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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