MOSFET IPA80R650CEXKSA1, VDSS 800 V, ID 8 A, TO-220FP de 3+Tab pines, config. Simple

Código de producto RS: 133-9861Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPA80R650CEXKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

TO-220 FP

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3+Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

33 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

4.9mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

45 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Longitud

10.65mm

Altura

16.15mm

Serie

CoolMOS CE

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Tensión de diodo directa

1V

País de Origen

China

Datos del producto

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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N

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Through Hole

Conteo de Pines

3+Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

33 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

4.9mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

45 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Longitud

10.65mm

Altura

16.15mm

Serie

CoolMOS CE

Temperatura Mínima de Operación

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Tensión de diodo directa

1V

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MOSFET Transistors, Infineon

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