MOSFET Infineon IPA65R280E6XKSA1, VDSS 700 V, ID 13,8 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 897-7194PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPA65R280E6XKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

13.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

700 V

Tipo de Encapsulado

TO-220 FP

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

280 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

32 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.65mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

45 nC a 10 V

Ancho

4.85mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

16.15mm

Series

CoolMOS E6

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon

La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOSE6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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N

Maximum Continuous Drain Current

13.8 A

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TO-220 FP

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

280 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

32 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.65mm

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45 nC a 10 V

Ancho

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Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

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Series

CoolMOS E6

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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