MOSFET Infineon IPA65R150CFDXKSA1, VDSS 700 V, ID 22,4 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 897-7529PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPA65R150CFDXKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

22,4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

700 V

Tipo de Encapsulado

TO-220 FP

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

150 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

34,7 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.65mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

86 nC a 10 V

Ancho

4.85mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS CFD

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

Altura

16.15mm

Datos del producto

Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

MOSFET Infineon IPA65R150CFDXKSA1, VDSS 700 V, ID 22,4 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 4.

Producción -

Disponible en múltiplos de 4.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

4

Disponible en múltiplos de 4
4P.O.A.
8P.O.A.
12P.O.A.
16P.O.A.
20P.O.A.
24P.O.A.
28P.O.A.
32P.O.A.
36P.O.A.
40P.O.A.
44P.O.A.
48P.O.A.
52P.O.A.
56P.O.A.
60P.O.A.

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32P.O.A.
36P.O.A.
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TO-220 FP

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

150 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

34,7 W

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.65mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

86 nC a 10 V

Ancho

4.85mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS CFD

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

Altura

16.15mm

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