MOSFET Infineon IMW120R350M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 4,7 A, TO-247 de 3 pines

Código de producto RS: 222-4859Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IMW120R350M1HXKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Series

IMW1

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

350 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

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$ 135.150

$ 4.505 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 160.828

$ 5.360,95 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

MOSFET Infineon IMW120R350M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 4,7 A, TO-247 de 3 pines

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 135.150
60$ 256.740
90$ 385.110
120$ 513.480
150$ 615.000
180$ 738.000
210$ 861.000
240$ 984.000
270$ 1.107.000
300$ 1.230.000
330$ 1.353.000
360$ 1.476.000
390$ 1.599.000
420$ 1.722.000
450$ 1.845.000

$ 135.150

$ 4.505 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

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Disponible en múltiplos de 30
30$ 135.150
60$ 256.740
90$ 385.110
120$ 513.480
150$ 615.000
180$ 738.000
210$ 861.000
240$ 984.000
270$ 1.107.000
300$ 1.230.000
330$ 1.353.000
360$ 1.476.000
390$ 1.599.000
420$ 1.722.000
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Tubo
30 - 30$ 4.505$ 135.150
60 - 120$ 4.279$ 128.370
150+$ 4.100$ 123.000

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Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Series

IMW1

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

350 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

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Si

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