Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
100 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
333 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
16.03 x 21.1 x 5.16mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
País de Origen
Germany
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 6.902
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 8.213,38
Each (In a Tube of 30) (IVA Incluido)
30
$ 6.902
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 8.213,38
Each (In a Tube of 30) (IVA Incluido)
30
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
30 - 30 | $ 6.902 | $ 207.060 |
60 - 120 | $ 6.556 | $ 196.680 |
150+ | $ 5.901 | $ 177.030 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
100 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
333 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
16.03 x 21.1 x 5.16mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
País de Origen
Germany
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.