Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
62 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20 V, ±30V
Disipación de Potencia Máxima
188 W
Número de transistores
1
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
30kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Capacitancia de puerta
1800pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
0.88mJ
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 4.982
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 5.928,58
Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
10 - 40 | $ 4.982 | $ 49.820 |
50 - 90 | $ 4.732 | $ 47.320 |
100 - 240 | $ 4.260 | $ 42.600 |
250+ | $ 4.234 | $ 42.340 |
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Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
62 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20 V, ±30V
Disipación de Potencia Máxima
188 W
Número de transistores
1
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
30kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Capacitancia de puerta
1800pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
0.88mJ
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.