IGBT, IKW30N60DTPXKSA1, N-Canal, 53 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple

Código de producto RS: 144-1190Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IKW30N60DTPXKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

53 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

30kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Capacitancia de puerta

1050pF

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

1.13mJ

Datos del producto

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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$ 3.064

Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 3.646,16

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Tubo
30 - 270$ 3.064$ 91.920
300 - 720$ 2.519$ 75.570
750+$ 2.256$ 67.680

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Corriente Máxima Continua del Colector

53 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

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±20V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

30kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Capacitancia de puerta

1050pF

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

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Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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