IGBT, IKW25N120H3FKSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 906-2892Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IKW25N120H3FKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

50 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

326 W

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Temperatura Mínima de Operación

–40 °C

Capacitancia de puerta

1430pF

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

4.3mJ

Datos del producto

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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$ 13.812

$ 6.906 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 16.436

$ 8.218,14 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)

IGBT, IKW25N120H3FKSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 13.812
4$ 27.624
6$ 35.766
8$ 47.688
10$ 59.610
12$ 71.532
14$ 83.454
16$ 95.376
18$ 107.298
20$ 113.240
22$ 124.564
24$ 135.888
26$ 147.212
28$ 158.536
30$ 169.860

$ 13.812

$ 6.906 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 16.436

$ 8.218,14 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)

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2

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4$ 27.624
6$ 35.766
8$ 47.688
10$ 59.610
12$ 71.532
14$ 83.454
16$ 95.376
18$ 107.298
20$ 113.240
22$ 124.564
24$ 135.888
26$ 147.212
28$ 158.536
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
2 - 4$ 6.906$ 13.812
6 - 18$ 5.961$ 11.922
20 - 38$ 5.662$ 11.324
40 - 98$ 5.410$ 10.820
100+$ 4.646$ 9.292

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Infineon

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±20V

Disipación de Potencia Máxima

326 W

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Temperatura Mínima de Operación

–40 °C

Capacitancia de puerta

1430pF

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

4.3mJ

Datos del producto

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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