Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
26 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.36 x 4.57 x 15.95mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
0.81mJ
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Capacitancia de puerta
860pF
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 2.849
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 3.390,31
Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
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10 - 40 | $ 2.849 | $ 28.490 |
50 - 90 | $ 2.707 | $ 27.070 |
100 - 240 | $ 2.437 | $ 24.370 |
250+ | $ 2.422 | $ 24.220 |
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Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
26 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.36 x 4.57 x 15.95mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
0.81mJ
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Capacitancia de puerta
860pF
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.