IGBT, IKP06N60TXKSA1, N-Canal, 6 A, 600 V, TO-220, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
6 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
88 W
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.36 x 4.57 x 15.95mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
0.335mJ
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Capacitancia de puerta
368pF
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 17.010
$ 1.701 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 20.242
$ 2.024,19 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
Estándar
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 10 - 40 | $ 1.701 | $ 17.010 |
| 50 - 90 | $ 1.616 | $ 16.160 |
| 100 - 240 | $ 1.548 | $ 15.480 |
| 250 - 490 | $ 1.481 | $ 14.810 |
| 500+ | $ 1.378 | $ 13.780 |
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Tensión Máxima Colector-Emisor
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Disipación de Potencia Máxima
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
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Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
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Single
Dimensiones del Cuerpo
10.36 x 4.57 x 15.95mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
0.335mJ
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
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• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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