IGBT, IGW40T120FKSA1, 75 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 911-4785Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IGW40T120FKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

75 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

270 W

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

16.13 x 21.1 x 5.21mm

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

País de Origen

Germany

Datos del producto

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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$ 7.618

Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 9.065,42

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Tubo
30 - 30$ 7.618$ 228.540
60 - 120$ 7.312$ 219.360
150+$ 6.582$ 197.460

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Disipación de Potencia Máxima

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Tipo de Encapsulado

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Tipo de montaje

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Dimensiones del Cuerpo

16.13 x 21.1 x 5.21mm

Temperatura Mínima de Operación

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Temperatura de Funcionamiento Máxima

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• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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