IGBT, IGW30N60TPXKSA1, N-Canal, 53 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple

Código de producto RS: 133-9873Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IGW30N60TPXKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

53 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

30kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Capacitancia de puerta

1050pF

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

1.13mJ

País de Origen

China

Datos del producto

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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$ 2.980

Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 3.546,20

Each (In a Pack of 2) (IVA Incluido)

IGBT, IGW30N60TPXKSA1, N-Canal, 53 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 5.960
4$ 11.920
6$ 17.880
8$ 23.840
10$ 29.800
12$ 30.588
14$ 35.686
16$ 40.784
18$ 45.882
20$ 50.980
22$ 56.078
24$ 61.176
26$ 66.274
28$ 71.372
30$ 76.470

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8$ 23.840
10$ 29.800
12$ 30.588
14$ 35.686
16$ 40.784
18$ 45.882
20$ 50.980
22$ 56.078
24$ 61.176
26$ 66.274
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
2 - 10$ 2.980$ 5.960
12 - 58$ 2.549$ 5.098
60 - 118$ 2.411$ 4.822
120+$ 2.199$ 4.398

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Brand

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

53 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

30kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Capacitancia de puerta

1050pF

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

1.13mJ

País de Origen

China

Datos del producto

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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