IGBT, IGW30N60TPXKSA1, N-Canal, 53 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
53 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Número de transistores
1
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
30kHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Capacitancia de puerta
1050pF
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
1.13mJ
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 498.960
$ 2.079 Each (In a Tube of 240) (Sin IVA)
$ 593.762
$ 2.474,01 Each (In a Tube of 240) (IVA Inc.)
240
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240
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 240 - 240 | $ 2.079 | $ 498.960 |
| 480 - 480 | $ 1.975 | $ 474.000 |
| 720+ | $ 1.851 | $ 444.240 |
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InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
53 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Número de transistores
1
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
30kHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Capacitancia de puerta
1050pF
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
1.13mJ
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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