Diodo, IDV20E65D1XKSA1, Conmutación, 28A, 650V Conexión de silicio, 92ns, TO-220FP, 2-Pines 1.7V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Corriente Continua Máxima Directa
28A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
650V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Rectificador
Switching
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
1.7V
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Tiempo de Recuperación Inverso de Pico
92ns
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
120A
Datos del producto
Diodos controlados por emisor de conmutación rápida, Infineon
Los diodos controlados por emisor de conmutación de Infineon son las familias Rapid 1 y Rapid 2, así como los diodos Ultra-soft de 600 V/1.200 V. Los diodos funcionan en diversas aplicaciones desde telecomunicaciones, UPS, soldadura, ac-dc y la versión Ultra-soft que funciona en aplicaciones de accionamiento de motor hasta 30 kHz.
El diodo Rapid 1 conmuta entre 18 kHz y 40 kHz
Tensión directa de temperatura estable de 1,35 V
Ideal para topologías de corrección de factor de potencia (PFC)
El diodo Rapid 2 conmuta entre 40 kHz y 100 kHz
Bajo carga de recuperación inversa: relación de tensión directa para rendimiento BiC
Tiempo de recuperación inversa bajo
Pérdidas de conexión bajas en el interruptor de impulso
Diodo ultra rápido tecnología controlada por emisor de 600 V/1.200 V
Certificación según el estándar JEDEC
Buen comportamiento EMI
Bajas pérdidas de conducción
Fácil conexión en paralelo
Diodes and Rectifiers, Infineon
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Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
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2
Caída de tensión directa máxima
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Tiempo de Recuperación Inverso de Pico
92ns
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
120A
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El diodo Rapid 1 conmuta entre 18 kHz y 40 kHz
Tensión directa de temperatura estable de 1,35 V
Ideal para topologías de corrección de factor de potencia (PFC)
El diodo Rapid 2 conmuta entre 40 kHz y 100 kHz
Bajo carga de recuperación inversa: relación de tensión directa para rendimiento BiC
Tiempo de recuperación inversa bajo
Pérdidas de conexión bajas en el interruptor de impulso
Diodo ultra rápido tecnología controlada por emisor de 600 V/1.200 V
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