Módulo IGBT, FP25R12KE3BOSA1, N-Canal, 40 A, 1.200 V, EconoPIM2, 24-Pines Trifásico
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
40 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Tipo de Encapsulado
EconoPIM2
Configuration
3 Phase Bridge
Tipo de montaje
PCB Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
24
Transistor Configuration
3 Phase
Dimensiones del Cuerpo
107.5 x 45 x 17mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
País de Origen
Hungary
Datos del producto
Módulo IGBT, Infineon
La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.
Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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EconoPIM2
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Tipo de Canal
N
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24
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Dimensiones del Cuerpo
107.5 x 45 x 17mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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